3月11日消息，全球近日，首家始出設(shè)計始驗存儲大廠美光正式發(fā)布1γ（gamma）10nm級DRAM內(nèi)存之后，美光已經(jīng)開始向Intel、宣布AMD等客戶交付1γ DDR5內(nèi)存的γ內(nèi)樣品，成為存儲行業(yè)第一家達成這一里程碑的存開企業(yè)。

據(jù)報道，貨專在交付的為下1γ DDR5內(nèi)存的樣品中，美光僅使用了一層EUV極紫外光刻，已開目的全球是通過減少EUV的使用，來加速量產(chǎn)先進制程內(nèi)存，首家始出設(shè)計始驗并降低成本投入。美光

值得一提的宣布是，DRAM內(nèi)存行業(yè)的γ內(nèi)節(jié)點工藝一直不標注具體nm數(shù)值，而是存開1a、1b、1c，或者1α、1β、1γ這樣的迭代順序，其中1a比較接近20nm，1γ則接近10nm。

1γ內(nèi)存這是美光內(nèi)存第一次用上EUV極紫外光刻工藝。相較于美光，三星、SK海力士在內(nèi)存技術(shù)發(fā)展中則更依賴EUV。 三星自2020年起在DRAM內(nèi)存生產(chǎn)中采用EUV，計劃在其第6代1c的10nm級DRAM內(nèi)存中采用超過5個EUV光刻層。 

而SK海力士也在2021年導入EUV光刻技術(shù)，并計劃在下一代1c的10nm級DRAM中采用類似策略。

按照美光的說法，此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM節(jié)點的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應(yīng)用到端側(cè)AI設(shè)備（如 AI PC、智能手機和汽車）等未來計算平臺的創(chuàng)新發(fā)展。

美光1γ DRAM節(jié)點將首先應(yīng)用于其16Gb DDR5內(nèi)存，并計劃逐步整合至美光內(nèi)存產(chǎn)品組合中。

其中，16Gb DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率可達9200MT/s（4600MHz x 2），與前代產(chǎn)品相比，速率提升高達15%，功耗降低超過20%。單片晶圓的容量密度產(chǎn)出較上一代提升30%以上。

目前，AMD、Intel均已開始對1γ內(nèi)存的技術(shù)驗證。

AMD服務(wù)器平臺解決方案工程部門企業(yè)副總裁Amit Goel表示：“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點方面取得的進展，并已開展對美光1γ DDR5 內(nèi)存的驗證工作。

我們致力于通過下一代 AMD EPYC（霄龍）數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品以及全系列消費級處理器，持續(xù)推動計算生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，因此與美光的緊密合作至關(guān)重要。”

Intel內(nèi)存與IO技術(shù)副總裁兼總經(jīng)理Dimitrios Ziakas博士表示：“美光1γ節(jié)點的進步為Intel服務(wù)器和AI PC帶來了顯著的功耗及容量優(yōu)化。我們很高興看到美光在 DRAM 技術(shù)方面的持續(xù)創(chuàng)新，并期待基于這些優(yōu)勢進一步提升服務(wù)器系統(tǒng)的性能和PC的續(xù)航。

Intel正在通過其嚴格的服務(wù)器驗證流程，對美光1γ DDR5內(nèi)存樣品進行驗證，從而為我們的客戶提供高品質(zhì)、體驗一流的服務(wù)器系統(tǒng)。”