2月26日消息，美光美光宣布，存升基于最新1γ納米工藝的工藝DDR5 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)投產(chǎn)，性能、首次松單能效、美光密度等各項(xiàng)指標(biāo)都大幅提升。存升

DRAM內(nèi)存行業(yè)的工藝節(jié)點(diǎn)工藝一直不標(biāo)注具體數(shù)值，而是首次松單1a、1b、美光1c、存升1α、工藝1β、首次松單1γ這樣的美光迭代順序，越來(lái)越先進(jìn)，存升其中1a比較接近20nm，工藝1γ則接近10nm。

這是美光內(nèi)存第一次用上EUV極紫外光刻工藝，而三星、SK海力士早就用了，不過美光這次同時(shí)還引入了下一代HKMG金屬柵極技術(shù)，預(yù)計(jì)全新的BEOL后端工序。

不過美光沒有透露使用了多少EUV光刻層，猜測(cè)目前只是在關(guān)鍵層上用EUV，否則就得多重曝光，增加時(shí)間和成本。

美光的1γ DDR5單顆容量為16Gb(2GB)，可以輕松組成單條容量128GB的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品，號(hào)稱容量密度比1β的再次增加30％，事實(shí)上之前每代提升工藝都能增加30％的密度。

它只需要1.1V的標(biāo)準(zhǔn)電壓，就能達(dá)到9200MHz(嚴(yán)格來(lái)說是9200MT/s)的超高頻率，而目前市面上常見的高頻內(nèi)存往往得1.35V甚至1.45V的高電壓。

更低的電壓不但更安全，還能節(jié)省功耗，號(hào)稱比1β工藝的最多降低20％。

目前，美光1γ DDR5內(nèi)存只在日本工廠生產(chǎn)，后續(xù)會(huì)逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)今年年中左右上市。

未來(lái)，美光在中國(guó)臺(tái)灣的工廠也會(huì)引入EVU，并使用1γ工藝制造GDDR7顯存、LPDDR 5X高頻內(nèi)存(最高9600MHz)。