2月27日消息，剛拿見證歷史的到長時刻！全球第一的江存晶圓鍵合存儲巨頭三星，居然購買中國長江存儲的儲專層閃存首次雙專利技術(shù)，來打造未來產(chǎn)品，利星而在拿到授權(quán)的宣布第一時間，三星就宣布了基于相關(guān)技術(shù)的剛拿成果：400多層堆疊的第十代V-NAND閃存。

和眾多傳統(tǒng)閃存廠商一樣，到長三星也是江存晶圓鍵合一直將CMOS控制電路放在存儲陣列之下，在同一塊晶圓上制造，儲專層閃存首次雙而隨著堆疊層數(shù)、利星存儲密度的宣布急劇增加，這種架構(gòu)越來越難以推進。剛拿

長江存儲的到長Xtacking晶棧架構(gòu)則是在兩塊晶圓上分別制造控制電路、存儲陣列，江存晶圓鍵合然后鍵合在一起，制造難度和成本大大降低，也有利于持續(xù)升級。

三星的第十代V-NAND，就將引入這種設(shè)計。

鎧俠/閃迪的閃存從第八代到日前剛發(fā)布的第十代，也是類似架構(gòu)。

長江存儲晶棧架構(gòu)

鎧俠最新架構(gòu)

三星第十代V-NAND將堆疊超過400層(具體數(shù)字未公開)，奪回世界第一，超過開下剛剛創(chuàng)記錄的332層。

首發(fā)TLC，單Die容量1Tb(128GB)，存儲密度每平方毫米28Gb，略低于三星1Tb QLC顆粒的平方毫米28.5Gb，也遠不如鎧俠第十代的大約每平方毫米36.4Gb，因為密度不是三星的首要目標，層數(shù)才是。

接口傳輸速度倒是領(lǐng)先，達到了5600MT/s，也就是700MB/s。

因此，只需10顆芯片就能吃滿PCIe 4.0 x4，20顆吃滿PCIe 5.0 x4，32顆就能吃滿PCIe 6.0 x4。

事實上，大多數(shù)NAND閃存芯片都是8顆或者16顆Die封裝而成，因此16顆就能做到單顆芯片2TB，M.2 SSD單面能做到8TB，雙面可達16TB。

當然，因為兼容性問題，雙面的并不多見。

按照三星的規(guī)劃，2030年左右將做到1000層堆疊！